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SI7850DP-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SI7850DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI7850DP-T1-GE3.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    22 mOhm @ 10.3A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.8W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 다른 이름들
    SI7850DP-T1-GE3TR
    SI7850DPT1GE3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    33 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 6.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    6.2A (Ta)

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SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7856ADP-T1-GE3

SI7856ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7856ADP-T1-E3

SI7856ADP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V POWERPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

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SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

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SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

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SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

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기술: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

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SI7860ADP-T1-E3

SI7860ADP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

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SI7848BDP-T1-E3

기술: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

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SI7848BDP-T1-GE3

SI7848BDP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

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SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

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SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

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