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3105033SIA408DJ-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA408DJ-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SIA408DJ-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    36 mOhm @ 5.3A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SC-70-6
  • 다른 이름들
    SIA408DJ-T1-GE3TR
    SIA408DJT1GE3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    830pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 4.5A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4.5A (Tc)
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA406DJ-T1-GE3

SIA406DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA411DJ-T1-E3

SIA411DJ-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

제조업체: Vishay Siliconix
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