Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SIJ470DP-T1-GE3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1288260SIJ470DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ470DP-T1-GE3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.757
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SIJ470DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SIJ470DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    ThunderFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    9.1 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    5W (Ta), 56.8W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 다른 이름들
    SIJ470DP-T1-GE3TR
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2050pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    7.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 58.8A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    58.8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025년1월26일

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일
배송
지불
다음은 "SIJ470DP-T1-GE3"관련 제품입니다.
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
APT12F60K

APT12F60K

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
IRF9317PBF

IRF9317PBF

기술: MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF9540NSTRR

IRF9540NSTRR

기술: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
FDS6679AZ

FDS6679AZ

기술: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기소식사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.