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6645654SIJ482DP-T1-GE3 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJ482DP-T1-GE3

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  • 제품 모델
    SIJ482DP-T1-GE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.7V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 연속
    TrenchFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    6.2 mOhm @ 20A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    5W (Ta), 69.4W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    PowerPAK® SO-8
  • 다른 이름들
    SIJ482DP-T1-GE3TR
    SIJ482DPT1GE3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2425pF @ 40V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    71nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    80V
  • 상세 설명
    N-Channel 80V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    60A (Tc)
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
STB10NK60ZT4

STB10NK60ZT4

기술: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
APT20M22LVFRG

APT20M22LVFRG

기술: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
NVD5C454NLT4G

NVD5C454NLT4G

기술: T6 40V DPAK EXPANSION AND

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SPP17N80C3XKSA1

SPP17N80C3XKSA1

기술: MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
PHP66NQ03LT,127

PHP66NQ03LT,127

기술: MOSFET N-CH 25V 66A TO220AB

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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