다음은 "UGE8JT-E3/45"관련 제품입니다.
기술: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277
제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
기술: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: DIODE 10A 150V 20NS TO-220AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE 10A 200V 20NS TO-220AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE AVALANCHE 1.8KV 25A DO203
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: DIODE GEN PURP 50V 5A SMC
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD323
제조업체: Diodes Incorporated
유품
기술: DIODE GEN PURP 600V 71A TO220-2
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220F
제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
기술: DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE
제조업체: IXYS Corporation
유품