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UGE0221AY4

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유품
6+
$72.88
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    UGE0221AY4
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    UGE0221AY4.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    4.8V @ 30A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    4800V
  • 제조업체 장치 패키지
    UGE
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    UGE
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 4800V 10.2A Chassis Mount UGE
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    2mA @ 4800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    10.2A
  • VR, F @ 용량
    -
  • 기본 부품 번호
    UGE

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UGE1112AY4

UGE1112AY4

기술: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
UGE18DCT-E3/45

UGE18DCT-E3/45

기술: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
DSEP30-12CR

DSEP30-12CR

기술: DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
UGE5HT-E3/45

UGE5HT-E3/45

기술: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
SK110-LP

SK110-LP

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
UGE8JT-E3/45

UGE8JT-E3/45

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
MUR320S M6G

MUR320S M6G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
UGE10CCT-E3/45

UGE10CCT-E3/45

기술: DIODE 10A 150V 20NS TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
ES3JB M4G

ES3JB M4G

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
BAV103

BAV103

기술: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD80

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
UGE18CCT-E3/45

UGE18CCT-E3/45

기술: DIODE 18A 150V 20NS TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
1N5196UR

1N5196UR

기술: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO213

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
FR104G R0G

FR104G R0G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1DHE3/5AT

US1DHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UGE3126AY4

UGE3126AY4

기술: DIODE GEN PURP 24KV 2A UGE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
UGE0421AY4

UGE0421AY4

기술: DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
UGE8HT-E3/45

UGE8HT-E3/45

기술: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UGE10DCT-E3/45

UGE10DCT-E3/45

기술: DIODE 10A 200V 20NS TO-220AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
U2D-M3/52T

U2D-M3/52T

기술: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
UGE5JT-E3/45

UGE5JT-E3/45

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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