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DSK-3R3H204T614-H2L

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규격
  • 제품 모델
    DSK-3R3H204T614-H2L
  • 제조업체 / 브랜드
    Elna America
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    DSK-3R3H204T614-H2L.pdf
  • 전압 - 정격
    3.3V
  • 용인
    -20%, +80%
  • 종료
    SMD (SMT) Tabs
  • 크기 / 치수
    0.268" Dia (6.80mm)
  • 연속
    DSK
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    Coin, Wide Terminals - Opposite Sides
  • 다른 이름들
    604-1147-2
    DSK3R3H204T614H2L
  • 작동 온도
    -10°C ~ 60°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    26 Weeks
  • 수명 @ 온도.
    1000 Hrs @ 60°C
  • 리드 간격
    -
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 높이 - 장착 (최대)
    0.071" (1.80mm)
  • ESR (등가 직렬 저항)
    200 Ohm
  • 상세 설명
    200mF (EDLC) Supercapacitor 3.3V Coin, Wide Terminals - Opposite Sides 200 Ohm 1000 Hrs @ 60°C
  • 정전 용량
    200mF

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EEC-S0HD224H

EEC-S0HD224H

기술: CAP 220MF -20% +80% 5.5V T/H

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

기술: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

기술: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
RFQ
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

기술: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
RFQ
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK10E-BT

DSK10E-BT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK10C

DSK10C

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK10B

DSK10B

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

기술: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK10E

DSK10E

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

기술: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
RFQ
DSK10B-BT

DSK10B-BT

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
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RFQ
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
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RFQ
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK10C-BT

DSK10C-BT

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
RFQ
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

기술: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
RFQ
MAL219691113E3

MAL219691113E3

기술: CAP 4F -20% +80% 4.2V T/H

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

기술: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

제조업체: Panasonic
유품
RFQ
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