Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet > DSK5J01Q0L
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2888818DSK5J01Q0L 이미지Panasonic

DSK5J01Q0L

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.222
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DSK5J01Q0L
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 컷오프 (VGS 꺼짐) 아이디 @
    5V @ 10µA
  • 제조업체 장치 패키지
    SMini3-F2-B
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    150mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-85
  • 다른 이름들
    DSK5J01Q0LTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    11 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    6pF @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    55V
  • 상세 설명
    JFET N-Channel 30mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
  • 드레인 전류 (ID) - 최대
    30mA
  • 전류 - Vds를 @ 드레인 (IDSS) (의 Vgs = 0)
    2mA @ 10V
  • 기본 부품 번호
    DSK5J01
2N4416

2N4416

기술: JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

기술: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
DSK10E

DSK10E

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK10B

DSK10B

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

기술: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

기술: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
DSK10B-BT

DSK10B-BT

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

기술: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
DSK10E-BT

DSK10E-BT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

기술: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

제조업체: Panasonic
유품
2SK880-BL(TE85L,F)

2SK880-BL(TE85L,F)

기술: JFET N-CH 50V 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

기술: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

제조업체: Elna America
유품
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

기술: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

제조업체: Panasonic
유품
DSK10C

DSK10C

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품
DSK10C-BT

DSK10C-BT

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: ON Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오