Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 하드웨어, 패스너, 액세서리 > 와셔 > RW10032A
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2512622RW10032A 이미지Essentra Components

RW10032A

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$0.043
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RW10032A
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 유형
    Flat, Retaining
  • 스레드 / 스크루 / 홀 크기
    #10
  • 두께
    0.032" (0.81mm)
  • 연속
    RW
  • 도금
    -
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 자료
    Nylon
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 지름 - 외부
    0.453" (11.50mm)
  • 직경 - 내부
    0.177" (4.50mm)
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

기술: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

기술: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW10062A

RW10062A

기술: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

제조업체: Essentra Components
유품
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

기술: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

기술: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

기술: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1A013ZPT2R

RW1A013ZPT2R

기술: MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

기술: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR

기술: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

기술: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR

기술: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

기술: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

기술: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

기술: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

기술: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

기술: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오