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3425598RW1A030APT2CR 이미지LAPIS Semiconductor

RW1A030APT2CR

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유품
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규격
  • 제품 모델
    RW1A030APT2CR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    -8V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    6-WEMT
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    42 mOhm @ 3A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    700mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-563, SOT-666
  • 다른 이름들
    RW1A030APT2CR-ND
    RW1A030APT2CRTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2700pF @ 6V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    12V
  • 상세 설명
    P-Channel 12V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3A (Ta)
RW10062A

RW10062A

기술: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

제조업체: Essentra Components
유품
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

기술: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

기술: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

기술: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

기술: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

기술: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BA1R00JT

RW1S0BA1R00JT

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

기술: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R

기술: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

기술: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

기술: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

기술: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

기술: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW10032A

RW10032A

기술: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

제조업체: Essentra Components
유품
RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR

기술: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

기술: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품
RW1A013ZPT2R

RW1A013ZPT2R

기술: MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

기술: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

제조업체: Ohmite
유품

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