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58240641N8024-GA 이미지GeneSiC Semiconductor

1N8024-GA

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유품
1+
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10+
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규격
  • 제품 모델
    1N8024-GA
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1N8024-GA.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.74V @ 750mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1200V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-257
  • 속도
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    0ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-257-3
  • 다른 이름들
    1242-1111
    1N8024GA
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 250°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Silicon Carbide Schottky
  • 상세 설명
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 750mA Through Hole TO-257
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 1200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    750mA
  • VR, F @ 용량
    66pF @ 1V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    1N8024

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1N821UR-1

1N821UR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8165US

1N8165US

기술: TVS DIODE 33V 53.6V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N8031-GA

1N8031-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N8033-GA

1N8033-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821

1N821

기술: DIODE ZENER DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

기술: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N822

1N822

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N821A

1N821A

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8149

1N8149

기술: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8182

1N8182

기술: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N821-1

1N821-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
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