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42381181N8031-GA 이미지GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

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유품
10+
$172.134
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    1N8031-GA
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1N8031-GA.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Silicon Carbide Schottky
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1A
  • 전압 - 파괴
    TO-276
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tube
  • 역 회복 시간 (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    76pF @ 1V, 1MHz
  • 편광
    TO-276AA
  • 다른 이름들
    1242-1118
    1N8031GA
  • 작동 온도 - 정션
    0ns
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    1N8031-GA
  • 확장 설명
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
  • 다이오드 구성
    5µA @ 650V
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.5V @ 1A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    650V
  • VR, F @ 용량
    -55°C ~ 250°C

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1N8033-GA

1N8033-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8182

1N8182

기술: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8149

1N8149

기술: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821

1N821

기술: DIODE ZENER DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8165US

1N8165US

기술: TVS DIODE 33V 53.6V

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N822

1N822

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N821-1

1N821-1

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N821A

1N821A

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

기술: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

기술: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
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RFQ
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