Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > GP2M004A060PG
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
106254GP2M004A060PG 이미지Global Power Technologies Group

GP2M004A060PG

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$1.65
10+
$1.462
100+
$1.155
500+
$0.896
1000+
$0.707
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    GP2M004A060PG
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    I-PAK
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.5 Ohm @ 2A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    86.2W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 다른 이름들
    1560-1194-1
    1560-1194-1-ND
    1560-1194-5
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    545pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole I-PAK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4A (Tc)
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

기술: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A050HG

GP2M005A050HG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

기술: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

기술: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

기술: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

기술: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

기술: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

기술: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

기술: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

기술: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

기술: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

기술: MOSFET N-CH 600V 2A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A060FG

GP2M005A060FG

기술: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오