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GSID150A120T2C1

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유품
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규격
  • 제품 모델
    GSID150A120T2C1
  • 제조업체 / 브랜드
    SemiQ
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    SILICON IGBT MODULES
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GSID150A120T2C1.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.1V @ 15V, 150A
  • 제조업체 장치 패키지
    Module
  • 연속
    Amp+™
  • 전력 - 최대
    1087W
  • 패키지 / 케이스
    Module
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C
  • NTC 써미스터
    Yes
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    21.2nF @ 25V
  • 입력
    Three Phase Bridge Rectifier
  • IGBT 유형
    -
  • 상세 설명
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 285A 1087W Chassis Mount Module
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    1mA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    285A
  • 구성
    Three Phase Inverter

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GSID300A120S5C1

GSID300A120S5C1

기술: IGBT MODULE 1200V 430A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

기술: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

기술: IGBT MODULE 1200V 170A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSIPBL

GSIPBL

기술: TRIP INDICATOR CONVERSION KIT

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSIPBS

GSIPBS

기술: GSIPBS ADD-ON INDICATOR KIT

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

기술: IGBT MODULE 1200V 335A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID300A125S5C1

GSID300A125S5C1

기술: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

기술: IGBT MODULE 1200V 285A

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
RFQ
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

기술: DIODE 6A 600V GSIB-5S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

기술: DIODE 6A 800V GSIB-5S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

기술: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
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