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IDT (Integrated Device Technology)

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규격

제품 모델

70V657S15DR
제조업체 / 브랜드

IDT (Renesas Electronics Corporation)
재고 수량

유품
기술

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

1.70V657S15DR.pdf
2.70V657S15DR.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

15ns
전압 - 공급

3.15 V ~ 3.45 V
과학 기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous
제조업체 장치 패키지

208-PQFP (28x28)
연속

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

208-BFQFP
다른 이름들

IDT70V657S15DR
IDT70V657S15DR-ND
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

1.125Mb (32K x 36)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

SRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 15ns 208-PQFP (28x28)
기본 부품 번호

IDT70V657
액세스 시간

15ns

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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

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70V657S12BFGI8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)

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70V657S15BC8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

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70V658S10BFG

기술: IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

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70V658S10BC

기술: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

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