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IDT (Integrated Device Technology)

70V658S12BC

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유품

12+

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온라인 문의

규격

제품 모델

70V658S12BC
제조업체 / 브랜드

IDT (Renesas Electronics Corporation)
재고 수량

유품
기술

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

1.70V658S12BC.pdf
2.70V658S12BC.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

12ns
전압 - 공급

3.15 V ~ 3.45 V
과학 기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous
제조업체 장치 패키지

256-CABGA (17x17)
연속

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

256-LBGA
다른 이름들

IDT70V658S12BC
IDT70V658S12BC-ND
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

4 (72 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

SRAM
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
기본 부품 번호

IDT70V658
액세스 시간

12ns

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70V658S10BFG

기술: IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

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70V658S12BF8

기술: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)

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70V658S10BFG8

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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

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