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7164L55TDB

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규격
  • 제품 모델
    7164L55TDB
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1.7164L55TDB.pdf
    2.7164L55TDB.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    55ns
  • 전압 - 공급
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 과학 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    28-CDIP
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 다른 이름들
    IDT7164L55TDB
    IDT7164L55TDB-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 55ns 28-CDIP
  • 액세스 시간
    55ns

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7164L85DB

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7164S20TPGI

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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7164L25YGI8

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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7164S100DB

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

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7164L45DB

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP

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7164L25YG

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
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7164S20YG

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

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7164L35TDB

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

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7164L25YG8

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

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7164L25TDB

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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7164L70TDB

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

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7164L25YGI

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

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