7164S20TDB

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규격

제품 모델

7164S20TDB
제조업체 / 브랜드

IDT (Renesas Electronics Corporation)
재고 수량

유품
기술

IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

1.7164S20TDB.pdf
2.7164S20TDB.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

20ns
전압 - 공급

4.5 V ~ 5.5 V
과학 기술

SRAM - Asynchronous
제조업체 장치 패키지

28-CDIP
연속

-
포장

Tube
패키지 / 케이스

28-CDIP (0.300", 7.62mm)
다른 이름들

IDT7164S20TDB
IDT7164S20TDB-ND
작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

SRAM
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 20ns 28-CDIP
액세스 시간

20ns

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

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