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MIAA10WB600TMH

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  • 제품 모델
    MIAA10WB600TMH
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MODULE IGBT CBI
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.6V @ 15V, 10A
  • 제조업체 장치 패키지
    MiniPack2
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    70W
  • 패키지 / 케이스
    MiniPack2
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • NTC 써미스터
    Yes
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    0.45nF @ 25V
  • 입력
    Three Phase Bridge Rectifier
  • IGBT 유형
    NPT
  • 상세 설명
    IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 18A 70W Chassis Mount MiniPack2
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    600µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    18A
  • 구성
    Three Phase Inverter with Brake
  • 기본 부품 번호
    MIAA10W
MIAA15WE600TMH

MIAA15WE600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
MIAA15WD600TMH

MIAA15WD600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
APTGT150DH170G

APTGT150DH170G

기술: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi
유품
MIAA10WF600TMH

MIAA10WF600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
MIAA15WB600TMH

MIAA15WB600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
FP35R12W2T4B11BOMA1

FP35R12W2T4B11BOMA1

기술: IGBT MODULE 1200V 35A

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
MIAA10WD600TMH

MIAA10WD600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
MIA24003ST

MIA24003ST

기술: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT

제조업체: Laird Technologies - Antennas
유품
APTGT300SK120G

APTGT300SK120G

기술: IGBT 1200V 420A 1380W SP6

제조업체: Microsemi
유품
FS75R12W2T4B11BOMA1

FS75R12W2T4B11BOMA1

기술: MOD IGBT LOW PWR EASY2B-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
MIA24003

MIA24003

기술: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT

제조업체: Laird Technologies - Antennas
유품
MIAA20WD600TMH

MIAA20WD600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
MIAA20WB600TMH

MIAA20WB600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
APTGF100DA120TG

APTGF100DA120TG

기술: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4

제조업체: Microsemi
유품
6MS24017P43W39872NOSA1

6MS24017P43W39872NOSA1

기술: MODULE IGBT STACK A-MS3-1

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
MIAA10WE600TMH

MIAA10WE600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품
FF1800R12IE5BPSA1

FF1800R12IE5BPSA1

기술: PP IHM I XHP 17KV

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
FS100R17KS4F

FS100R17KS4F

기술: IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
FS75R12KT3GBOSA1

FS75R12KT3GBOSA1

기술: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
MIAA20WE600TMH

MIAA20WE600TMH

기술: MODULE IGBT CBI

제조업체: IXYS Corporation
유품

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