다음은 "MIAA10WE600TMH"관련 제품입니다.
기술: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
제조업체: IXYS Corporation
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 25A
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
기술: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT
제조업체: Laird Technologies - Antennas
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA
제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
제조업체: Microsemi
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT
제조업체: Laird Technologies - Antennas
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 45A EASY1B
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
제조업체: IXYS Corporation
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기술: IGBT MODULE 1200V 600A
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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