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LAPIS Semiconductor

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제품 모델

EMD2FHAT2R
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.EMD2FHAT2R.pdf
2.EMD2FHAT2R.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

-
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

300mV @ 500µA, 10mA
트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지

EMT6
연속

Automotive, AEC-Q101
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

22 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

22 kOhms
전력 - 최대

150mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666
다른 이름들

EMD2FHAT2RTR
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

7 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

250MHz
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

56 @ 5mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

100mA

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EMD2T2R

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD22FHAT2R

기술: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

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EMD

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EMD4000B

EMD4000B

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