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LAPIS Semiconductor

EMD30T2R

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규격

제품 모델

EMD30T2R
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
재고 수량

유품
기술

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

EMD30T2R.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

50V, 30V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지

EMT6
연속

-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)

10 kOhms
저항기 -베이스 (R1)

10 kOhms, 1 kOhms
전력 - 최대

150mW
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666
다른 이름들

EMD30T2R-ND
EMD30T2RTR
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환

250MHz, 260MHz
상세 설명

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

100mA, 200mA
기본 부품 번호

*MD30

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD22FHAT2R

기술: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: LAPIS Semiconductor

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EMD12FHAT2R

기술: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: LAPIS Semiconductor

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EMD5DXV6T1

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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EMD22T2R

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor

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EMD5DXV6T5G

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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EMD4DXV6T5G

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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EMD2FHAT2R

기술: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: LAPIS Semiconductor

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EMD4T2R

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor

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EMD59T2R

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor

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EMD4DXV6T1G

기술: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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EMD5T2R

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor

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EMD4000B

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EMD

기술: TIP REPLACEMENT CONICAL .015"

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기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD12T2R

기술: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor

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