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5734729R6011KNX 이미지LAPIS Semiconductor

R6011KNX

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유품
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10+
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100+
$1.352
500+
$1.049
1000+
$0.828
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    R6011KNX
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R6011KNX.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220FM
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    53W (Tc)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3 Full Pack
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    740pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Schottky Diode (Isolated)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 11A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    11A (Tc)

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R6012ANJTL

R6012ANJTL

기술: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

기술: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6011230XXYA

R6011230XXYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6011430XXYA

R6011430XXYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6011825XXYA

R6011825XXYA

기술: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

기술: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

기술: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

기술: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6011425XXYA

R6011425XXYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6013-00

R6013-00

기술: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

제조업체: Harwin
유품
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

기술: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
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