다음은 "R6012030XXYA"관련 제품입니다.
기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품
기술: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: MOSFET N-CH 600V 11A LPT
제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
기술: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"
제조업체: Harwin
유품
기술: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
제조업체: Powerex, Inc.
유품