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3260881R6025FNZ1C9 이미지LAPIS Semiconductor

R6025FNZ1C9

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1000+
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규격
  • 제품 모델
    R6025FNZ1C9
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 25A TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R6025FNZ1C9.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    180 mOhm @ 12.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    150W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    25A (Tc)

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R6024ENZC8

R6024ENZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

기술: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

기술: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

기술: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

기술: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
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RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
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R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
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