Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > R6021435ESYA
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2102454

R6021435ESYA

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
30+
$86.937
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    R6021435ESYA
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.5V @ 800A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1400V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-205AB, DO-9
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    2µs
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • 작동 온도 - 정션
    -45°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1400V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    50mA @ 1400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    350A
  • VR, F @ 용량
    -
R6021425HSYA

R6021425HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
R6020KNX

R6020KNX

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6021222PSYA

R6021222PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
R6021225HSYA

R6021225HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
R6024KNX

R6024KNX

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6021035ESYA

R6021035ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
R6021022PSYA

R6021022PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6024ENZC8

R6024ENZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6024KNJTL

R6024KNJTL

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6024KNZC8

R6024KNZC8

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6021235ESYA

R6021235ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
R6020KNZC8

R6020KNZC8

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

기술: NCH 600V 20A POWER MOSFET

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6024ENX

R6024ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6025ANZC8

R6025ANZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6024ENJTL

R6024ENJTL

기술: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
R6021025HSYA

R6021025HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오