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2786059R6030KNXC7 이미지LAPIS Semiconductor

R6030KNXC7

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유품
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10+
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100+
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500+
$2.539
1000+
$2.141
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규격
  • 제품 모델
    R6030KNXC7
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R6030KNXC7.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220FM
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    86W (Tc)
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3 Full Pack
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30A (Tc)

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R6030635ESYA

R6030635ESYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

기술: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
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R6030835ESYA

R6030835ESYA

기술: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
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R6031035ESYA

R6031035ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
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R6030625HSYA

R6030625HSYA

기술: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
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RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

기술: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
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