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R6031025HSYA

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유품
30+
$75.524
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    R6031025HSYA
  • 제조업체 / 브랜드
    Powerex, Inc.
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R6031025HSYA.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    2V @ 800A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1000V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-205AB, DO-9
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    1µs
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • 작동 온도 - 정션
    -45°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1000V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    50mA @ 1000V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    250A
  • VR, F @ 용량
    -

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R6030KNXC7

R6030KNXC7

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

기술: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
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