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5639579R6035ENZC8 이미지LAPIS Semiconductor

R6035ENZC8

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유품
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10+
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100+
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500+
$3.837
1000+
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규격
  • 제품 모델
    R6035ENZC8
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    R6035ENZC8.pdf
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-3PF
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    102 mOhm @ 18.1A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    120W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3 Full Pack
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    17 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2720pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    35A (Tc)

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R6031025HSYA

R6031025HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6046FNZC8

R6046FNZC8

기술: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

기술: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R60400-1STR

R60400-1STR

기술: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R60400-1STRM

R60400-1STRM

기술: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

기술: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R60400-3CR

R60400-3CR

기술: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

제조업체: Bussmann (Eaton)
유품
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

기술: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6046ANZC8

R6046ANZC8

기술: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

기술: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
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