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RJU002N06FRAT106

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  • 제품 모델
    RJU002N06FRAT106
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RJU002N06FRAT106.pdf
    2.RJU002N06FRAT106.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    UMT3
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    200mW (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-70, SOT-323
  • 다른 이름들
    RJU002N06FRAT106TR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    18pF @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    200mA (Ta)

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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

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RJU4351TDPP-EJ#T2

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기술: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

제조업체: Renesas Electronics America
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RJU4351SDPE-00#J3

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기술: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

제조업체: LAPIS Semiconductor
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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

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기술: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

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기술: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

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기술: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

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기술: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

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기술: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

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기술: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

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기술: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

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기술: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

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