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RJU4351TDPP-EJ#T2

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  • 제품 모델
    RJU4351TDPP-EJ#T2
  • 제조업체 / 브랜드
    Renesas Electronics Corporation
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RJU4351TDPP-EJ#T2.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.9V @ 10A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    430V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220FP-2L
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    25ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-2 Full Pack
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 430V 10A Through Hole TO-220FP-2L
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 430V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    10A
  • VR, F @ 용량
    -

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RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

기술: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

기술: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

기술: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

기술: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

기술: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

기술: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU002N06T106

RJU002N06T106

기술: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

기술: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

기술: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

기술: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

기술: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

기술: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU003N03T106

RJU003N03T106

기술: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

제조업체: Renesas Electronics America
유품
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