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RN262GT2R

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  • 제품 모델
    RN262GT2R
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.RN262GT2R.pdf
    2.RN262GT2R.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    30V
  • 제조업체 장치 패키지
    VMD2
  • 연속
    -
  • 만약, F @ 저항
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • 전력 소비 (최대)
    100mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    2-SMD, Flat Lead
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    PIN - Single
  • 상세 설명
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • 전류 - 최대
    100mA
  • VR, F @ 용량
    0.4pF @ 1V, 1MHz

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RN2704JE(TE85L,F)

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RN2707JE(TE85L,F)

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RN2601(TE85L,F)

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2710JE(TE85L,F)

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2702TE85LF

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

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RN2708JE(TE85L,F)

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN2608(TE85L,F)

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RN2610(TE85L,F)

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2701JE(TE85L,F)

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