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RN2703JE(TE85L,F)

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    RN2703JE(TE85L,F)
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    RN2703JE(TE85L,F).pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • 트랜지스터 유형
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • 제조업체 장치 패키지
    ESV
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    22 kOhms
  • 저항기 -베이스 (R1)
    22 kOhms
  • 전력 - 최대
    100mW
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-553
  • 다른 이름들
    RN2703JE(TE85LF)CT
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    200MHz
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    70 @ 10mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN262CST2R

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기술: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN2608(TE85L,F)

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기술: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

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RN262GT2R

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기술: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

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