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375576RRE04EA6DFHTR 이미지LAPIS Semiconductor

RRE04EA6DFHTR

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유품
1+
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10+
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$0.171
1000+
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규격
  • 제품 모델
    RRE04EA6DFHTR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 200mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    TSMD5
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
  • 다른 이름들
    RRE04EA6DFHCT
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 다이오드 구성
    2 Independent
  • 상세 설명
    Diode Array 2 Independent Standard 600V 400mA Surface Mount SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    400mA
LD411260

LD411260

기술: DIODE MODULE 1.2KV 600A POWRBLOK

제조업체: Powerex, Inc.
유품
RRE02VSM6STR

RRE02VSM6STR

기술: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE04EA4DFHTR

RRE04EA4DFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE07VTM4SFHTR

RRE07VTM4SFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE04EA4DTR

RRE04EA4DTR

기술: DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE02VS6SGTR

RRE02VS6SGTR

기술: DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
MBRF40060

MBRF40060

기술: DIODE SCHOTTKY 60V 200A TO244AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
322CNQ030

322CNQ030

기술: DIODE MODULE 30V 150A TO249AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

기술: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE07VTM6SFHTR

RRE07VTM6SFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE02VTM4SFHTR

RRE02VTM4SFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
SBLB25L20CTHE3/81

SBLB25L20CTHE3/81

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TO263AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

기술: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
MBRF200200

MBRF200200

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 100A TO244AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RRE02VS4SGTR

RRE02VS4SGTR

기술: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RRE02VTM6SFHTR

RRE02VTM6SFHTR

기술: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
1SS362FV,L3F

1SS362FV,L3F

기술: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
MBR30040CT

MBR30040CT

기술: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RRE02VSM4STR

RRE02VSM4STR

기술: DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
STPS3045CP

STPS3045CP

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V SOT93

제조업체: STMicroelectronics
유품

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