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RS1G300GNTB

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규격
  • 제품 모델
    RS1G300GNTB
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-HSOP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.5 mOhm @ 30A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    3W (Ta), 35W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerTDFN
  • 다른 이름들
    RS1G300GNTBTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    40 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4230pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    56.8nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 30A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30A (Ta)
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

기술: DIODE, FAST, 1A, 400V

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1GB-13

RS1GB-13

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RS1GFA

RS1GFA

기술: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RS1G-13-F

RS1G-13-F

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

기술: DIODE, FAST, 1A, 400V

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

기술: DIODE

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

기술: DIODE

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS1G/1

RS1G/1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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