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RS1GFSHMXG

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유품
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온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RS1GFSHMXG
  • 제조업체 / 브랜드
    Taiwan Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE, FAST, 1A, 400V
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    RS1GFSHMXG.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    SOD-128
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    150ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOD-128
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SOD-128
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    5µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    7pF @ 4V, 1MHz

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RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

기술: DIODE, FAST, 1A, 400V

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1GL MQG

RS1GL MQG

기술: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1GL MHG

RS1GL MHG

기술: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

기술: DIODE

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1GHR3G

RS1GHR3G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1GHM2G

RS1GHM2G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

기술: DIODE

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

기술: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS1GL MTG

RS1GL MTG

기술: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
RS1GFA

RS1GFA

기술: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
RS1GL M2G

RS1GL M2G

기술: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
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