RZL025P01TR

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제품 모델

RZL025P01TR
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
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유품
기술

MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

RZL025P01TR.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1V @ 1mA
Vgs (최대)

±10V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TUMT6
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

61 mOhm @ 2.5A, 4.5V
전력 소비 (최대)

1W (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

12V
상세 설명

P-Channel 12V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta)

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기술: -40V4.2MOHMSINGLE

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기술: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

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제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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