Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > APT80M60J
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5740207APT80M60J 이미지Microsemi

APT80M60J

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
10+
$55.095
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT80M60J
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 5mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    55 mOhm @ 60A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    960W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    23 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    24000pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    600nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 84A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    84A (Tc)
APT80GA60B

APT80GA60B

기술: IGBT 600V 143A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT84M50L

APT84M50L

기술: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT8024LLLG

APT8024LLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT84F50B2

APT84F50B2

기술: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT80SM120S

APT80SM120S

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT80SM120J

APT80SM120J

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

기술: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT8024JLL

APT8024JLL

기술: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

기술: IGBT 900V 145A 625W TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT84F50L

APT84F50L

기술: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT80SM120B

APT80SM120B

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT80GP60J

APT80GP60J

기술: IGBT 600V 151A 462W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

기술: IGBT 600V 143A 625W TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT85GR120J

APT85GR120J

기술: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT84M50B2

APT84M50B2

기술: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT80F60J

APT80F60J

기술: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT85GR120B2

APT85GR120B2

기술: IGBT 1200V 170A 962W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT8075BN

APT8075BN

기술: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

제조업체: Microsemi
유품
APT80GA90B

APT80GA90B

기술: IGBT 900V 145A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오