> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > APT80F60J
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
242445APT80F60J 이미지Microsemi

APT80F60J

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
10+
$59.60
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT80F60J
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    55 mOhm @ 60A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    961W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    23994pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    598nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 84A (Tc) 961W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    84A (Tc)
APT8024LLLG

APT8024LLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT8020LFLLG

APT8020LFLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT8018JN

APT8018JN

기술: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT80SM120B

APT80SM120B

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

기술: IGBT 600V 143A 625W TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT80GA90B

APT80GA90B

기술: IGBT 900V 145A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT8014JLL

APT8014JLL

기술: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT8024JLL

APT8024JLL

기술: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT8020JLL

APT8020JLL

기술: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

기술: IGBT 900V 145A 625W TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT80SM120S

APT80SM120S

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT80GP60J

APT80GP60J

기술: IGBT 600V 151A 462W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

기술: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT80GA60B

APT80GA60B

기술: IGBT 600V 143A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT84F50B2

APT84F50B2

기술: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT80M60J

APT80M60J

기술: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT80SM120J

APT80SM120J

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT8075BN

APT8075BN

기술: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

제조업체: Microsemi
유품
APT8024B2LLG

APT8024B2LLG

기술: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오
Loading...