Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > APT8024B2LLG
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6733494APT8024B2LLG 이미지Microsemi

APT8024B2LLG

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$29.47
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT8024B2LLG
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT8024B2LLG.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    T-MAX™ [B2]
  • 연속
    POWER MOS 7®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    240 mOhm @ 15.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    565W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3 Variant
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4670pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    800V
  • 상세 설명
    N-Channel 800V 31A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    31A (Tc)

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

2024년11월23일

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "APT8024B2LLG"관련 제품입니다.
APT8024LLLG

APT8024LLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT80GA90B

APT80GA90B

기술: IGBT 900V 145A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

기술: IGBT 900V 145A 625W TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8020LFLLG

APT8020LFLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
APT7M120S

APT7M120S

기술: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8014JLL

APT8014JLL

기술: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT80GP60J

APT80GP60J

기술: IGBT 600V 151A 462W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8024JLL

APT8024JLL

기술: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

기술: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT80F60J

APT80F60J

기술: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT7F120B

APT7F120B

기술: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT80GA60B

APT80GA60B

기술: IGBT 600V 143A 625W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT7F80K

APT7F80K

기술: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8020JLL

APT8020JLL

기술: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8075BN

APT8075BN

기술: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8018JN

APT8018JN

기술: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT7F100B

APT7F100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT7M120B

APT7M120B

기술: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

기술: IGBT 600V 143A 625W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

기술: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.