US6K1TR

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제품 모델

US6K1TR
제조업체 / 브랜드

LAPIS Technology
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유품
기술

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.US6K1TR.pdf
2.US6K1TR.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1.5V @ 1mA
제조업체 장치 패키지

TUMT6
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
전력 - 최대

1W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V
FET 유형

2 N-Channel (Dual)
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A
기본 부품 번호

*K1

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