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US6T4TR

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  • 제품 모델
    US6T4TR
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS PNP 12V 3A TUMT6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.US6T4TR.pdf
    2.US6T4TR.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    12V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    250mV @ 30mA, 1.5A
  • 트랜지스터 유형
    PNP
  • 제조업체 장치 패키지
    UMT6
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    280MHz
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 3A 280MHz 1W Surface Mount UMT6
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    270 @ 500mA, 2V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    100nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    3A
  • 기본 부품 번호
    US6T

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기술: TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

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기술: ACS LPSJ 60A 2 POLE ASSEMBLY KIT

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제조업체: LAPIS Semiconductor
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기술: ACS LPSJ 60A 3 POLE ASSEMBLY KIT

제조업체: Hamlin / Littelfuse
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기술: TRANS NPN 12V 3A TUMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
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US6T6TR

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기술: TRANS PNP 30V 2A TUMT6

제조업체: LAPIS Semiconductor
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기술: 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

제조업체: LAPIS Semiconductor
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기술: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

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기술: TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6

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기술: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

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기술: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

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