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US6U37TR

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  • 제품 모델
    US6U37TR
  • 제조업체 / 브랜드
    LAPIS Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    US6U37TR.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±12V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TUMT6
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • 전력 소비 (최대)
    1W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    6-SMD, Flat Leads
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    80pF @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    2.2nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    Schottky Diode (Isolated)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 1.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1.5A (Ta)

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기술: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

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US6J3PAK

기술: ACS LPSJ 60A 3 POLE ASSEMBLY KIT

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US6T7TR

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제조업체: LAPIS Semiconductor
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기술: 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

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