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5221452US1J-TP 이미지Micro Commercial Components (MCC)

US1J-TP

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규격
  • 제품 모델
    US1J-TP
  • 제조업체 / 브랜드
    Micro Commercial Components (MCC)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    US1J-TP.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AC (SMA)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    75ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 다른 이름들
    US1J-TPMSTR
    US1JTP
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    14 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 600V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    10pF @ 4V, 1MHz
  • 기본 부품 번호
    US1J

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US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1J/1

US1J/1

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1J-13

US1J-13

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

기술: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1JDFQ-13

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기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1GWF-7

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

제조업체: Diodes Incorporated
유품
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US1JFA

US1JFA

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
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