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3768069US1J/1 이미지Vishay Semiconductor Diodes Division

US1J/1

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규격
  • 제품 모델
    US1J/1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1A
  • 전압 - 파괴
    DO-214AC (SMA)
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tape & Reel (TR)
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-214AC, SMA
  • 다른 이름들
    Q1152372A
    US1J
    US1J-ND
    US1J/1/T
  • 작동 온도 - 정션
    75ns
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 부품 번호
    US1J/1
  • 확장 설명
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 다이오드 구성
    10µA @ 600V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.7V @ 1A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    600V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C
US1GWF-7

US1GWF-7

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

제조업체: Diodes Incorporated
유품
US1JFA

US1JFA

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1J M2G

US1J M2G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1JDF-13

US1JDF-13

기술: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

제조업체: Diodes Incorporated
유품
US1J-TP

US1J-TP

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
US1J-13-F

US1J-13-F

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
US1J-13

US1J-13

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
US1JHM2G

US1JHM2G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

제조업체: Diodes Incorporated
유품
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1JE-TP

US1JE-TP

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
US1JFL-TP

US1JFL-TP

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
US1J R3G

US1J R3G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품

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