MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

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제품 모델

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR-ND
MT29E2T08CTCCBJ7-6:CTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

2Tb (256G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) Parallel 167MHz
클럭 주파수

167MHz

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MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

기술: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E2T08CTCCBJ7-6:C

기술: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E256G08CECCBH6-6:C TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

기술: IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

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MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

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MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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MT29E3T08EQHBBG2-3:B

기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

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MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

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기술: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

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