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    MT29E6T08ETHBBM5-3:B
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.5 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    -
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    6Tb (768G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 6Tb (768G x 8) Parallel 333MHz
  • 클럭 주파수
    333MHz
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT29E512G08CMCCBH7-6:C

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 128G PARALLEL VBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 128G PARALLEL 152VBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

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기술: IC FLASH 64GBIT 48TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR

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기술: IC FLASH 128G PARALLEL 167MHZ

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