MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

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유품

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규격

제품 모델

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR-ND
MT29E512G08CKCCBH7-6:CTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 167MHz
클럭 주파수

167MHz

다음은 "MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR"관련 제품입니다.

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

기술: IC FLASH 64GBIT 48TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E4T08EYHBBG9-3:B

기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ