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MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

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  • 제품 모델
    MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.5 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR-ND
    MT29E4T08CTHBBM5-3ES:BTR
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • 클럭 주파수
    333MHz

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MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR

기술: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

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기술: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29E512G08CKCCBH7-6:C

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29E4T08CTHBBM5-3:B

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기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E3T08EQHBBG2-3:B

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기술: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29E4T08EYHBBG9-3:B

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기술: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

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MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

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기술: IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ

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MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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MT29E512G08CMCCBH7-6:C

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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