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MT29F4G08ABAEAWP:E

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  • 제품 모델
    MT29F4G08ABAEAWP:E
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TSOP I
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 48-TSOP I
  • 기본 부품 번호
    MT29F4G08

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1

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기술: SLC 4G DIE 512MX8

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology
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제조업체: Micron Technology
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기술: SLC 4G DIE 512MX8

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

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